パワーアンプオーディオ素子として優れた特性を持つMOS-FETを、50W×4のハイパワーを誇るパワーアンプ部に採用。シグナルグランドを中心に電源、グランドをそれぞれL-ch、R-chに分離させることで、プリアンプ部からの電流を電圧変換する際に起こるクロスオーバー歪みを抑え、ピュアなエネルギーを出力します。MOS-FETはリニアな動作曲線を持ち、歪みが小さいことから、ノイズの影響を受けやすい高域部分のS/N比を大幅に向上。原音に限りなく近いサウンドを再生します。

車室内の音響的なバランスを保ちながら、BASS/TREBLEの各音域をそれぞれお好みに応じて強調できる、3つのイコライジングパターンを設定。音楽や気分に合わせたサウンドがいつでも選択可能です。